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Os dispositivos MOSFET de SiC oferecem maior velocidade de comutação, menores perdas por comutação e maior capacidade de temperatura em comparação com os módulos IGBT. Isso resulta em maior eficiência do sistema.
Os dispositivos MOSFET de SiC oferecem maior velocidade de comutação, menores perdas por comutação e maior capacidade de temperatura em comparação com os módulos IGBT. Isso resulta em maior eficiência do sistema.
