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I dispositivi MOSFET al SiC offrono maggiore velocità di commutazione, minori perdite di commutazione e una maggiore capacità di temperatura rispetto ai moduli IGBT. Ciò si traduce in una maggiore efficienza del sistema.
I dispositivi MOSFET al SiC offrono maggiore velocità di commutazione, minori perdite di commutazione e una maggiore capacità di temperatura rispetto ai moduli IGBT. Ciò si traduce in una maggiore efficienza del sistema.
