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Les dispositifs MOSFET en SiC offrent une vitesse de commutation plus rapide, des pertes par commutation plus faibles et une capacité de température plus élevée par rapport aux modules IGBT. Cela se traduit par une efficacité système supérieure.
Les dispositifs MOSFET en SiC offrent une vitesse de commutation plus rapide, des pertes par commutation plus faibles et une capacité de température plus élevée par rapport aux modules IGBT. Cela se traduit par une efficacité système supérieure.
