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Los dispositivos MOSFET de SiC ofrecen una mayor velocidad de conmutación, menores pérdidas por conmutación y una mayor capacidad de temperatura en comparación con los módulos IGBT. Esto se traduce en una mayor eficiencia del sistema.
Los dispositivos MOSFET de SiC ofrecen una mayor velocidad de conmutación, menores pérdidas por conmutación y una mayor capacidad de temperatura en comparación con los módulos IGBT. Esto se traduce en una mayor eficiencia del sistema.
