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SiC-MOSFETs bieten im Vergleich zu IGBT-Modulen eine höhere Schaltgeschwindigkeit, geringere Schaltverluste und eine höhere Temperaturbeständigkeit. Dies führt zu einer höheren Systemeffizienz.
SiC-MOSFETs bieten im Vergleich zu IGBT-Modulen eine höhere Schaltgeschwindigkeit, geringere Schaltverluste und eine höhere Temperaturbeständigkeit. Dies führt zu einer höheren Systemeffizienz.
