تقدم أجهزة MOSFET من كربيد السيليكون (SiC) سرعة تبديل أعلى، وخسائر تبديل أقل، وقدرة على تحمل درجات حرارة أعلى مقارنة بوحدات IGBT. ينتج عن هذا كفاءة نظام أعلى
تقدم أجهزة MOSFET من كربيد السيليكون (SiC) سرعة تبديل أعلى، وخسائر تبديل أقل، وقدرة على تحمل درجات حرارة أعلى مقارنة بوحدات IGBT. ينتج عن هذا كفاءة نظام أعلى